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Si4430BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.0045 at V GS = 10 V
0.006 at V GS = 4.5 V
I D (A)
20
17
Q g (Typ.)
24
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 100 % R g Tested
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
Top View
S
Ordering Information: Si4430BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4430BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
30
± 20
Unit
V
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I S
I AS
E AS
20
16
2.7
± 60
40
80
14
11
1.40
A
mJ
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.0
2.0
- 55 to 150
1.6
1.0
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET) a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
34
67
15
41
80
19
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 73184
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09
www.vishay.com
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